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N6202-VB 產品詳細

產品簡介:

N6202-VB 產品簡介

N6202-VB是一款高性能單N通道MOSFET,採用DFN8(5x6)封裝設計,專為高電流和低電壓應用而優化。該器件的最大漏極-源極電壓(VDS)為30V,能夠在多種電源管理和開關電路中高效運行。N6202-VB的柵源電壓(VGS)範圍為±20V,確保了在不同工作條件下的穩定性。其閾值電壓(Vth)為1.7V,保證其能夠在較低的柵極驅動電壓下迅速導通。該MOSFET的導通電阻(RDS(ON))非常低,在VGS=4.5V時為5mΩ,在VGS=10V時為3mΩ,這使得N6202-VB在高功率應用中具有極低的功耗和發熱特性。採用溝槽(Trench)技術,N6202-VB具有優越的開關速度和熱性能,非常適合高頻開關應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 30V 1.7V 120A Trench
N6202-VB 詳細參數說明

| **參數** | **值** |
|----------------------|--------------------------|
| **型號** | N6202-VB |
| **封裝** | DFN8(5x6) |
| **配置** | 單N通道 |
| **VDS** | 30V |
| **VGS** | ±20V |
| **Vth** | 1.7V |
| **RDS(ON)** | 5mΩ @ VGS=4.5V |
| **RDS(ON)** | 3mΩ @ VGS=10V |
| **ID** | 120A |
| **技術** | 溝槽技術(Trench) |

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領域和模塊應用:

應用領域與模組示例

1. **電源管理系統**
N6202-VB非常適合用於高效的DC-DC轉換器和開關電源中,其低導通電阻和高電流承載能力可以有效提高系統的效率,減少能量損耗,滿足現代電源管理的需求。

2. **電動機控制**
該MOSFET可以用於電動機驅動應用中,通過其優越的開關性能和高電流能力,可以實現對電動機的精確控制,適合於工業和消費電子產品。

3. **負載開關**
N6202-VB能夠用於負載開關應用,通過簡單的開關控制大功率負載,適合於各種電力控制場合,提供可靠的開關解決方案。

4. **LED驅動器**
在LED照明系統中,N6202-VB的低功耗特性使其能夠有效管理LED的驅動電流,確保高效和穩定的照明效果,廣泛應用於室內外照明解決方案。

5. **電池管理系統(BMS)**
N6202-VB適合在鋰電池充放電過程中使用,能夠提供可靠的電流控制和管理,確保電池的安全性和性能表現,適合於電動汽車和可攜式電子設備。

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N6202-VB憑藉其卓越的電性能和高電流處理能力,在多種電源管理、驅動和控制應用中表現出色,成為高效電源和功率控制系統的理想選擇。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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