產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
|
3mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
二、N6516-VB 詳細參數說明
| **參數** | **值** | **說明** |
|------------------------------|----------------------------|-------------------------------------------|
| **封裝類型** | DFN8(5X6) | 緊湊型設計，支持良好的散熱性能 |
| **通道類型** | 單 N-Channel | 適合電流從漏極流向源極的電路應用 |
| **漏源電壓 VDS** | 30V | 最大工作電壓，適用於高壓電源設備 |
| **柵源電壓 VGS** | ±20V | 最大柵極控制電壓範圍 |
| **開啟閾值 Vth** | 1.7V | 柵極電壓達到該值時 MOSFET 開始導通 |
| **導通電阻 RDS(ON)** | 5mΩ @ VGS = 4.5V | 在較低柵壓下的導通電阻 |
| **導通電阻 RDS(ON)** | 3mΩ @ VGS = 10V | 在較高柵壓下進一步降低導通損耗 |
| **最大漏極電流 ID** | 120A | 支持高電流應用場景 |
| **技術類型** | Trench | 提供更低的導通損耗和開關損耗 |
| **工作溫度範圍** | -55°C ~ +150°C | 能夠在嚴苛環境中可靠運行 |
---
領域和模塊應用：
三、應用領域與模組舉例
**N6516-VB** 由於其卓越的電氣性能和高電流處理能力，廣泛適用於以下領域和模組：
1. **電源管理系統 (Power Management Systems)**
- 在 DC-DC 轉換器和開關電源模組中，N6516-VB 可以作為主開關 MOSFET，顯著提高能量轉換效率並降低功耗，適合用於可攜式設備和工業電源。
2. **電池管理系統 (Battery Management Systems)**
- 在電動汽車和可再生能源儲存設備中，該 MOSFET 可以高效管理電池的充放電過程，確保系統的安全性與高效性。
3. **消費電子產品**
- N6516-VB 可用於智能手機、平板電腦及其他可攜式電子產品中，作為電源開關和負載切換器，提升設備的電能效率和續航能力。
4. **電動機驅動 (Motor Drivers)**
- 該器件在直流電機和步進電機驅動應用中表現優異，可用於工業自動化和機器人系統中，提供高效能和快速回應。
5. **高頻開關電源**
- 在通信設備、數據中心及伺服器電源中，N6516-VB 可作為開關元件，確保高效的功率轉換和穩定的電源輸出。
6. **LED 驅動電路**
- 適用於 LED 照明和顯示應用，N6516-VB 可以高效驅動高亮度 LED，確保其最佳性能與長壽命。
N6516-VB 憑藉其低導通電阻和高電流處理能力，是現代電源管理和電力電子設備的理想選擇，能夠在多種應用中提供高效、可靠的解決方案。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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