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NCE0160G-VB 產品詳細

產品簡介:

NCE0160G-VB 產品簡介

NCE0160G-VB 是一款高性能的單極 N 型 MOSFET,採用 DFN8 (5x6 mm) 封裝,設計用於高電壓和高電流應用。該器件的最大漏極源極電壓 (VDS) 為 100V,能夠在高壓環境下穩定運行,適合多種電源管理和電機控制系統。NCE0160G-VB 的閾值電壓 (Vth) 為 2.5V,支持邏輯電平驅動,適合廣泛的控制信號。此外,器件的導通電阻 (RDS(ON)) 分別為 12.36mΩ @ VGS=4.5V 和 9mΩ @ VGS=10V,確保在導通時有極低的功耗,從而提升整體系統效率。採用 Trench 技術製造的 NCE0160G-VB 具備優越的開關性能,廣泛應用於高效能設計中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A 9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(5X6) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(5X6) Single-N 100V 2.5V 65A Trench
詳細參數說明

| 參數 | 值 |
|------------------------|---------------------------|
| **型號** | NCE0160G-VB |
| **封裝** | DFN8 (5x6 mm) |
| **配置** | 單極 N 型 |
| **最大漏極源極電壓 (VDS)** | 100V |
| **最大柵極源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 2.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 12.36mΩ @ VGS=4.5V |
| | 9mΩ @ VGS=10V |
| **最大漏極電流 (ID)** | 65A |
| **技術** | Trench |

領域和模塊應用:

適用領域和模組

NCE0160G-VB 由於其卓越的性能,廣泛適用於多個領域和模組,包括:

1. **開關電源**:在開關電源和 DC-DC 轉換器中,NCE0160G-VB 的低導通電阻和高電流能力使其成為高效能電源管理的理想選擇,能夠顯著降低能量損耗。

2. **電動機驅動**:在電機控制應用中,該 MOSFET 可用作高電流開關,適用於工業自動化、電動車輛和家用電器,提供精確的電流控制與高效能運行。

3. **LED 照明驅動**:NCE0160G-VB 的高電流處理能力和小巧封裝使其適合用於 LED 照明控制,支持高效的照明解決方案,滿足節能的要求。

4. **電源管理 IC**:在各種電源管理積體電路中,NCE0160G-VB 可以用作開關元件,確保電源轉換的高效性和可靠性。

5. **可攜式電子設備**:由於其緊湊的封裝和低功耗特性,NCE0160G-VB 也廣泛應用於手機、平板電腦等可攜式設備中,助力實現高效能的設計。

通過這些領域的應用,NCE0160G-VB 能夠為不同的電子產品提供卓越的性能和可靠性,推動高效能設計的發展。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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