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NCE30H10-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:NCE30H10-VB MOSFET

NCE30H10-VB是一款高性能單N通道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電流應用設計,最大漏極源電壓(VDS)為30V。該器件的柵源電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.7V,適合於快速開關操作。NCE30H10-VB的導通電阻(RDS(ON))在@VGS=4.5V時為4mΩ,在@VGS=10V時為3mΩ,這使其在高負載條件下具備極低的功耗和高效率,最大漏極電流(ID)達到120A,充分滿足現代電子設備對高性能和高可靠性的需求。基於Trench技術的設計,NCE30H10-VB在開關頻率較高的應用中表現出色,非常適合用於電源管理和電動機驅動等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 30V 1.7V 120A Trench
詳細參數說明

- **型號**:NCE30H10-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N通道
- **最大漏極源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS = 4.5V:4mΩ
- @VGS = 10V:3mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:120A
- **技術**:Trench

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領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **高效DC-DC轉換器**:
NCE30H10-VB廣泛應用於高效的DC-DC轉換器中,作為開關元件,通過其低導通電阻來實現高效率的電壓轉換,減少功耗並提高系統的整體性能。

2. **電動汽車與混合動力汽車**:
在電動汽車及混合動力汽車的電源管理系統中,NCE30H10-VB可用於電池管理和電動機控制,支持高電流需求,確保車輛在各種工況下的高效運行。

3. **電源適配器**:
該MOSFET適合用於電源適配器中,作為主要開關元件以控制輸出電流。在高負載條件下,其快速開關特性和低導通電阻能夠有效提高適配器的能效。

4. **工業電機控制**:
NCE30H10-VB在工業設備中的電機控制系統中發揮重要作用,可以提供精確的電流控制和保護,使電機在啟動和運行過程中保持穩定。

5. **消費電子產品**:
在消費電子領域,NCE30H10-VB被廣泛用於手機、平板電腦等可攜式設備的充電管理和電源分配,幫助實現高效能和小型化設計。

通過其卓越的性能和廣泛的適用性,NCE30H10-VB成為現代電源管理和開關控制應用的理想選擇,滿足了各類設備對高效率和高可靠性的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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