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NCE40H12-VB 產品詳細

產品簡介:

NCE40H12-VB 產品簡介

NCE40H12-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,採用TO220封裝,專為中高電壓和高電流應用而設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為40V,支持±20V的柵源電壓(VGS),並具有閾值電壓(Vth)為3V,確保快速導通。NCE40H12-VB 在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為15mΩ,而在VGS為10V時進一步降低至2mΩ,支持高達180A的連續漏電流(ID)。採用先進的Trench技術,這款MOSFET 提供卓越的開關性能和熱穩定性,是電源管理和驅動應用中的理想選擇。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
詳細參數說明

- **型號**: NCE40H12-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 180A
- **最大功耗 (Ptot)**: 適合高功率應用
- **工作溫度範圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

適用領域與模組

NCE40H12-VB 在多個領域和模組中展現出卓越的性能,主要應用包括:

1. **電源管理系統**: 該MOSFET 適用於開關電源和DC-DC轉換器,能夠實現高效的電能轉換,降低能耗,廣泛應用於電腦、通信設備和工業控制系統。

2. **電動汽車(EV)**: 在電動汽車的動力系統中,NCE40H12-VB 可作為高電流開關,優化電池管理和能量分配,提高電動汽車的續航能力和安全性。

3. **電機控制**: 在電動機控制器中,該MOSFET 能夠提供穩定的驅動,支持無刷電機和其他電機驅動應用,實現精確的調速和高效運行。

4. **LED照明驅動**: NCE40H12-VB 適合用於LED驅動電路,提供穩定的電流輸出,確保LED照明的高亮度和長壽命。

5. **高頻開關電路**: 由於其優越的開關特性,該MOSFET 也非常適合用於高頻應用,能夠在高頻電路中保證穩定性和高效率。

通過其卓越的性能,NCE40H12-VB 成為中高電壓和高電流應用中的理想選擇,滿足多種電源管理和驅動需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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