NCE40H25-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NCE40H25-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
NCE40H25-VB是一款高性能單N通道MOSFET，採用TO220封裝，適合高電流應用。其額定VDS為40V，VGS為±20V，具有低導通電阻1mΩ@VGS=10V，最大持續電流可達280A，採用先進的Trench技術設計，提供卓越的開關性能和效率，適合各種電源管理應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	280A			1mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	280A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	280A		Trench

詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 280A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域與模組
NCE40H25-VB廣泛應用於電源管理模組、高效DC-DC轉換器和電機驅動電路。在數據中心電源、工業自動化及電動汽車等領域，它的高電流能力和低導通電阻使其非常適合用於高效能電源轉換和熱管理。同時，它的快速開關特性也使其在消費電子產品中具有重要應用。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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