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NCE75H21-VB 產品詳細

產品簡介:

一、NCE75H21-VB 產品簡介
NCE75H21-VB 是一款高性能 **單 N 溝道 MOSFET**,採用 **TO220 封裝**,專為高電流和高效能應用設計。該器件具有 **80V** 的漏源電壓 (VDS),支持 **±20V 的柵源電壓 (VGS)**,閾值電壓 (Vth) 為 **3V**,適合各種電源和負載控制場景。NCE75H21-VB 在 VGS = 10V 時的 **導通電阻 (RDS(ON))** 僅為 **3mΩ**,在 VGS = 4.5V 時為 **3.6mΩ**,表現出極低的導通損耗,最大連續漏極電流 (ID) 達到 **195A**。該 MOSFET 基於 **Trench 技術**,不僅提高了開關速度,還優化了熱性能,確保在高負載條件下的可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A 3mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 80V 3V 195A Trench
二、NCE75H21-VB 詳細參數說明
| **參數** | **描述** | **數值** |
|---------------------|--------------------------|------------------------|
| **封裝類型** | TO220 | 適合高功率應用,散熱性能優良 |
| **配置** | 單 N 溝道 MOSFET | 單通道開關控制 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 最大耐壓能力 | 80V |
| **柵源電壓 (VGS)** | 柵極驅動電壓範圍 | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 柵極開啟電壓 | 3V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | VGS = 10V 時的導通電阻 | 3mΩ |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | VGS = 4.5V 時的導通電阻 | 3.6mΩ |
| **連續漏極電流 (ID)** | 最大承載電流 | 195A |
| **技術類型** | Trench 技術 | 提高開關效率與熱性能 |
| **工作溫度範圍** | -55°C ~ +150°C | 寬溫度範圍 |

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領域和模塊應用:

三、應用領域及典型模組示例

1. **開關電源 (SMPS)**
- NCE75H21-VB 適用於開關電源設計中,作為高效開關元件使用。其極低的導通電阻有助於降低功耗,提升電源轉換效率,尤其在 AC-DC 轉換器和 DC-DC 轉換器中表現優異。

2. **電動汽車驅動系統**
- 在電動汽車的驅動系統中,該 MOSFET 可用於電機控制和電池管理,支持高電流和高電壓應用,提升電動汽車的能效和續航能力,適合用於電動助力轉向和動力總成控制。

3. **電源管理 IC (PMIC)**
- NCE75H21-VB 可用作電源管理積體電路中的開關元件,負責電源的開關控制和分配,為各種電子設備提供穩定的電力供應,同時提高系統的整體能效。

4. **LED 照明驅動**
- 該器件適用於高效 LED 照明驅動電路,能夠精准控制 LED 照明的亮度和電流,確保高效、穩定的光輸出,適合用於商業和住宅照明領域。

5. **工業控制與自動化**
- 在工業自動化領域,NCE75H21-VB 可用於電機驅動和伺服控制等高電流應用,滿足工業設備對高效能和穩定性的需求,廣泛應用於機器人、輸送系統等工業設備中。

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NCE75H21-VB 以其 **高壓、低導通損耗和高電流承載能力**,成為 **開關電源、電動汽車、電源管理 IC、LED 照明驅動** 和 **工業控制** 等領域的理想選擇。其 **TO220 封裝** 提供良好的散熱性能,確保在高功率應用中穩定運行。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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