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NDP410AL-VB 產品詳細

產品簡介:

一、NDP410AL-VB 產品簡介

NDP410AL-VB 是一種單N溝道(Single-N-Channel)功率MOSFET,採用TO-220封裝,專為中低壓高電流應用而設計。其最大漏源電壓(V\(_{DS}\))為100V,允許的柵極電壓範圍為±20V,閾值電壓(V\(_{th}\))為1.8V,確保快速開啟。該MOSFET的導通電阻(R\(_{DS(on)}\))在V\(_{GS}\)=10V時為127mΩ,具備良好的導電性能和低熱損耗,能夠承載最大連續漏極電流18A。採用的溝槽(Trench)技術提升了其性能和效率,使其廣泛應用於電源管理、開關電源和電機驅動等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A 127mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 100V 1.8V 18A Trench
二、NDP410AL-VB 詳細參數說明

| **參數** | **值** | **說明** |
|-----------------------------|-----------------------------|-----------------------------------|
| **封裝類型** | TO-220 | 提供優良的散熱與絕緣性能 |
| **配置** | 單N溝道(Single-N-Channel) | 適用於高效的功率轉換 |
| **V\(_{DS}\)** | 100V | 漏源之間的最大電壓 |
| **V\(_{GS}\)** | ±20V | 柵極允許的最大正負電壓範圍 |
| **V\(_{th}\)** | 1.8V | 柵源閾值電壓,決定開啟條件 |
| **R\(_{DS(on)}\)** | 127mΩ @ V\(_{GS}\)=10V | 導通電阻,影響效率與發熱情況 |
| **I\(_D\)** | 18A | 最大連續漏極電流 |
| **技術** | 溝槽工藝(Trench) | 提高效率與降低導通電阻 |
| **工作溫度範圍** | -55°C ~ 150°C | 適用於惡劣環境的溫度範圍 |

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領域和模塊應用:

三、適用領域及模組應用

1. **開關電源**
NDP410AL-VB 非常適合用於開關電源模組,如適配器和電源供應器。其低導通電阻和高電流能力可提高轉換效率,減少能量損失和發熱,確保系統的穩定性和安全性。

2. **電機驅動器**
該MOSFET可用於各類電機驅動器中,尤其是直流電機和步進電機。其高電流承載能力(18A)使其能夠在負載變化時提供可靠的控制,適應不同類型的電機應用。

3. **LED驅動電源**
在LED照明驅動應用中,NDP410AL-VB 能夠有效驅動高功率LED燈具,提供穩定的電流輸出,並降低能量損耗,確保LED燈具的長壽命和高亮度。

4. **電池管理系統**
在電池管理系統中,該MOSFET可以用作充電和放電路徑的開關,控制電池的充電過程。其低導通電阻有助於減少電池的溫升,提高充電效率。

5. **電源管理晶片**
由於其高性能和高可靠性,NDP410AL-VB 可用於各種電源管理晶片中,提升功率轉換和電流控制的效率,廣泛應用於可攜式設備和消費電子產品。

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NDP410AL-VB 的優異性能和多功能設計使其在中低壓應用領域具有廣泛的適用性,能夠滿足多種高效電力轉換和控制的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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