NP90N04MUG-S18-AY-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NP90N04MUG-S18-AY-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
NP90N04MUG-S18-AY-VB是一款高性能單N通道MOSFET，採用TO220封裝，專為中等電壓和高電流應用設計。該器件的漏源電壓（VDS）為40V，結合其低導通電阻，能夠在要求高效率和低功耗的電路中表現優異，適合高負載和高頻環境。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A			6mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		2.5V	110A		Trench

詳細參數說明
- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單N通道
- **漏源電壓（VDS）**：40V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流（ID）**：110A
- **技術**：Trench

領域和模塊應用：

適用領域和模組
NP90N04MUG-S18-AY-VB廣泛應用於電源管理、DC-DC轉換器、電動機驅動及逆變器等多個領域。其低導通電阻特性使其在高頻開關電源中表現卓越，有效提高能效並減少熱量生成。此外，該MOSFET在消費電子、汽車電子和工業控制模組中也有廣泛應用，以確保在高負載條件下的穩定性和可靠性。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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