NTHD4102PT1G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTHD4102PT1G-VB 產品詳細

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產品簡介：

NTHD4102PT1G-VB 產品簡介
NTHD4102PT1G-VB 是一款高效能 P 型 MOSFET，採用 DFN8(3X2)-B 封裝，專為低電壓應用設計。憑藉其優異的導通性能和低導通電阻，該器件非常適合用於要求高效率的電源管理和開關應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A			83mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A		Trench

詳細參數說明
- **封裝**: DFN8(3X2)-B
- **配置**: 單 P 通道
- **VDS**: -20V
- **VGS**: ±8V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **RDS(ON)**:
- 100mΩ @ VGS=4.5V
- 83mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**: -4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組
NTHD4102PT1G-VB 廣泛應用於電源管理、負載開關和小型開關電源等領域。其低導通電阻和緊湊的封裝設計，使其非常適合用於高效的 DC-DC 轉換器和電池供電設備，能夠在提升整體能效的同時減少熱量產生。此外，該 MOSFET 也適用於智能家居、汽車電子和工業控制系統，滿足多樣化的電源管理需求，確保設備穩定運行。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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