NTHD4P02FT1G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTHD4P02FT1G-VB 產品詳細

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參數
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產品簡介：

NTHD4P02FT1G-VB 產品簡介

NTHD4P02FT1G-VB 是一款高性能的單P通道 MOSFET，採用 DFN8(3x2)-B 封裝，專為低電壓和中等電流應用設計。其優越的導通性能和低導通電阻使其在電源管理和開關應用中表現卓越。基於先進的 Trench 技術，NTHD4P02FT1G-VB 能夠在各種工作條件下提供高效且穩定的性能，非常適合現代電子設備的需求。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A			90mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-P	-20V		-0.8V	-4A		Trench

詳細參數說明

- **型號**: NTHD4P02FT1G-VB
- **封裝**: DFN8(3x2)-B
- **配置**: 單P通道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -20V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±8V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 125mΩ @ VGS = 4.5V
- 90mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組示例

1. **電源管理**: NTHD4P02FT1G-VB 在開關電源和直流-直流轉換器中表現優異，其低導通電阻可顯著降低能量損耗，提高系統效率，適合在低電壓應用中使用。

2. **負載開關**: 該 MOSFET 常用於負載開關設計中，能夠有效控制電流流動，確保設備的可靠性和穩定性，廣泛應用於消費電子和工業設備。

3. **LED驅動器**: NTHD4P02FT1G-VB 可作為 LED 照明系統中的開關元件，支持調光和節能功能，提升照明效果，符合節能環保的要求。

4. **音頻放大器**: 此 MOSFET 在音頻設備中能夠提高信號的品質和穩定性，適用於高保真音響系統和專業音頻設備。

5. **電池管理系統**: 該 MOSFET 可用於電池充放電管理中的安全保護電路，確保在安全範圍內工作，延長電池的使用壽命和可靠性。

希望這些資訊能幫助您更好地理解 NTHD4P02FT1G-VB 的性能和應用！

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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