NTHS4166NT1G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTHS4166NT1G-VB 產品詳細

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NTHS4166NT1G-VB是一款高效能N溝道MOSFET，採用DFN8(3x2)-B封裝，專為高電流和高效能應用而設計。憑藉其低導通電阻和高電流承載能力，這款MOSFET特別適合用於電源管理、開關應用和其他高效能電路。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-N	30V		1.5V	9A			16mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-N	30V		1.5V	9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X2)-B	Single-N	30V		1.5V	9A		Trench

詳細參數說明
- **封裝**：DFN8(3x2)-B
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：19mΩ @ VGS=4.5V，16mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流（ID）**：9A
- **技術**：Trench技術

領域和模塊應用：

應用領域和模組
NTHS4166NT1G-VB廣泛應用於DC-DC轉換器、負載開關和電動機控制等電源管理系統中。由於其高效率和低熱量生成，這款MOSFET在可攜式電子設備、電腦電源和汽車電子系統中表現尤為突出。此外，它也適合用於LED驅動電路和工業自動化設備中，能夠滿足對快速開關和高可靠性的要求，推動整體系統的性能提升。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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