NTLTD7900ZR2-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTLTD7900ZR2-VB 產品詳細

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產品簡介：

NTLTD7900ZR2-VB 產品簡介
NTLTD7900ZR2-VB 是一款雙 N 型通道 MOSFET，採用 DFN8(3X3) 封裝，專為低電壓和高效能應用設計。該器件結合了出色的導通性能和緊湊的封裝，使其在空間受限的應用中表現卓越。憑藉其低導通電阻和高電流能力，NTLTD7900ZR2-VB 能夠滿足現代電子設備對功率管理和開關性能的嚴格要求。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Dual-N	20V		0.5~1.5V	9.4A			10mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Dual-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Dual-N	20V		0.5~1.5V	9.4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Dual-N	20V		0.5~1.5V	9.4A		Trench

詳細參數說明
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **配置**: 雙 N 型通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏電流 (ID)**: 9.4A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組
NTLTD7900ZR2-VB 廣泛應用於電源管理、電動機驅動和負載開關等領域。其低導通電阻使其特別適合用於可攜式設備和消費電子產品的電源調節，能夠有效降低功耗並延長電池使用壽命。在 DC-DC 轉換器和充電器中，該 MOSFET 提供了高效的開關性能，確保穩定的輸出電壓和電流。此外，該器件也適用於汽車電子和工業設備的電源管理系統，能夠實現高效、可靠的電流控制與分配。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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