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NTMD4102PR2G-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

**NTMD4102PR2G-VB** 是一款高效的雙P溝道MOSFET,封裝形式為SOP8,專為需要低導通電阻和快速開關性能的應用設計。該器件最大漏源電壓為-20V,具有優異的電流承載能力,最大漏電流可達-8.9A。採用先進的Trench技術,NTMD4102PR2G-VB在提供優異的性能的同時,也能在緊湊的空間內實現高效的電源管理。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A 16mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Dual-P+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Dual-P+P -20V -1.2V -8.9A Trench
詳細參數說明

- **型號**: NTMD4102PR2G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -20V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @ VGS = 4.5V: 18mΩ
- @ VGS = 10V: 16mΩ
- **最大漏電流 (ID)**: -8.9A
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

適用領域和模組示例

1. **電源管理系統**: NTMD4102PR2G-VB非常適合用於高效的電源管理電路,如DC-DC轉換器和電源分配模組。其低導通電阻使其在開關電源和電池管理系統中表現出色,幫助提高系統的整體能效。

2. **電動機驅動**: 在小型電動機驅動應用中,該MOSFET能夠提供強大的驅動能力,適用於玩具電動機、微型電動機控制和家電中的小型電動機。

3. **LED照明控制**: 該器件可用於LED驅動電路,為照明系統提供穩定的電流控制,適合在家庭照明、商業照明以及舞臺照明中使用。

4. **通信設備**: 在無線通信設備中,NTMD4102PR2G-VB可作為功率開關和電源管理元件,確保設備在各種工作條件下的可靠運行,適合用於基站、路由器和移動通信設備。

5. **智能家居設備**: 在智能家居系統中,該MOSFET可以用來控制感測器、智能插座和其他家電的開關,支持智能家居的自動化控制功能。

通過其高效的電流處理能力和低導通電阻,**NTMD4102PR2G-VB**為各種應用場合提供了可靠的解決方案,適合在現代電子設計中的多種應用中使用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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