NTMS4176PR2G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTMS4176PR2G-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
NTMS4176PR2G-VB是一款高效能的單P溝道MOSFET，採用SOP8封裝，專為低電壓應用設計。該器件具有優異的導通性能和低導通電阻，使其在電源管理和負載開關中表現出色，能夠有效提高系統的能效和可靠性，廣泛應用於各種電子設備。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A			18mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-30V		-1.7V	-9A		Trench

詳細參數說明
- **封裝**：SOP8
- **配置**：Single-P-Channel
- **VDS**：-30V
- **VGS**：±20V
- **閾值電壓 (Vth)**：-1.7V
- **RDS(ON)**：
- 24mΩ（@VGS=4.5V）
- 18mΩ（@VGS=10V）
- **ID**：-9A
- **技術**：Trench技術

領域和模塊應用：

應用領域和模組
NTMS4176PR2G-VB廣泛應用於電源管理、負載開關和電池保護電路等領域。其低RDS(ON)特性使其在DC-DC轉換器和開關電源中能夠高效工作，減少能量損失。此外，該MOSFET非常適合用於消費電子產品（如智能手機、平板電腦）、LED驅動電路和電動汽車的電源控制，確保系統在各種工作條件下的高效性和可靠性。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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