NTMS4N01R2G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTMS4N01R2G-VB 產品詳細

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產品簡介：

NTMS4N01R2G-VB 產品簡介

NTMS4N01R2G-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET，採用SOP8封裝設計，專為高效電源管理和開關應用而優化。其低導通電阻和適中的閾值電壓使其在各種電子設備中實現高效開關操作，提供優異的功耗性能和系統穩定性。該MOSFET非常適合應用於消費電子、汽車電子和電源管理系統，能夠滿足現代電子產品對高效能和小型化的需求。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A			8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-N	30V		1.7V	13A		Trench

詳細參數說明

- **型號**: NTMS4N01R2G-VB
- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: 單N通道MOSFET
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組示例

1. **電源管理**
NTMS4N01R2G-VB 在開關電源（SMPS）和其他電源管理應用中被廣泛使用。其低導通電阻有助於提高轉換效率，降低能量損耗，確保電源系統的高效運行。

2. **LED驅動電路**
該MOSFET 可作為LED驅動電路中的開關，實現精確的電流調節和亮度控制，廣泛應用於照明和顯示技術中。

3. **電動機控制**
NTMS4N01R2G-VB 在電動機驅動應用中能夠有效控制電機的啟停，適合用於電動工具、家電以及各種電動設備的控制系統。

4. **汽車電子**
此器件適合用於汽車電子系統中的電源開關和負載控制，能夠在動力系統和照明系統中確保高效和穩定的性能。

5. **消費電子產品**
在智能手機、平板電腦及其他消費電子產品中，NTMS4N01R2G-VB 可以用作電源開關或負載控制器，優化設備的性能和續航能力。

綜上所述，NTMS4N01R2G-VB

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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