NTMS4P01R2G-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTMS4P01R2G-VB 產品詳細

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產品簡介：

NTMS4P01R2G-VB 產品簡介

NTMS4P01R2G-VB 是一款高效的單 P 通道 MOSFET，採用 SOP8 封裝，設計用於低壓和高電流應用。其額定漏極-源極電壓 (VDS) 為 -12V，能夠處理最大 -16A 的漏極電流。利用先進的 Trench 技術，該器件在導通時具有極低的電阻，確保高效率與可靠性，非常適合用於電源管理和開關應用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Single-P	-12V		-0.8V	-16A	6.5mΩ			Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Single-P						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Single-P	-12V		-0.8V	-16A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Single-P	-12V		-0.8V	-16A		Trench

詳細參數說明

- **封裝類型**: SOP8
- **配置**: Single-P-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -12V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±8V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6.5mΩ @ VGS=2.5V
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流 (ID)**: -16A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域與模組示例

1. **電源管理**: NTMS4P01R2G-VB 適用於 DC-DC 轉換器和開關電源，能夠高效地控制電能傳輸，提升系統的總體能效。

2. **電動機控制**: 在電動機驅動應用中，該 MOSFET 可作為低側開關，用於高效地控制電機的啟停和調速。

3. **消費電子**: 該器件在智能手機和其他便攜設備中用作電源開關，確保高效的能量管理與延長電池壽命。

4. **LED 驅動電路**: NTMS4P01R2G-VB 可用於 LED 照明系統，提供高效的電流控制和熱管理，提升照明效果和耐用性。

憑藉其優越的電氣特性和廣泛的應用潛力，NTMS4P01R2G-VB 是現代電子設計中的理想選擇。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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