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NTP5863NG-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
NTP5863NG是一款高效能單N通道MOSFET，封裝為TO220，設計用於高電流和中等電壓應用。其最大漏源電壓為60V，結合Trench技術，具備出色的導通性能和極低的導通電阻，適合高效能電源管理和驅動系統。

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產品參數：

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp（V） ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
詳細參數說明
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓（VDS）**: 60V
- **柵源電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 5mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流（ID）**: 120A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組
NTP5863NG廣泛應用於高效能電源轉換器、DC-DC轉換器和電動機驅動系統。由於其極低的RDS(ON)，在電源管理應用中能夠顯著降低熱損耗，提高整體效率。此外，適合用於電動機控制和工業自動化，提供穩定的電流輸出，確保系統可靠運行。此外，該MOSFET還可用於LED驅動和高功率開關應用，以優化能效和增強設備性能。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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