產品簡介：
產品簡介
NTTFS5116PLTWG-VB是一款高效單P通道MOSFET，採用DFN8(3x3)封裝，設計用於負電壓應用，具有優良的導通性能和高電流承載能力，適合多種電源管理和功率轉換方案。
文件下載
產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-60V |
|
-1.7V |
36A |
|
|
21mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-60V |
|
-1.7V |
36A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(3X3) |
Single-P |
-60V |
|
-1.7V |
36A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **封裝**: DFN8(3x3)
- **配置**: 單P通道
- **VDS**: -60V
- **VGS**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28.8mΩ @ VGS=4.5V
- 21mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 36A
- **技術**: Trench技術
領域和模塊應用：
應用領域和模組
NTTFS5116PLTWG-VB廣泛應用於電源轉換器、負電壓電源管理和電池保護電路。它在汽車電子、工業控制以及可攜式設備中發揮關鍵作用，能夠有效提高系統效率和可靠性，適應多種電流和電壓需求。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
技術支援：
* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您
立即下載
中文
English
返回上級頁面.png)
