NTTFS5811NLTWG-VB - VBsemi MOSFETs製造商

NTTFS5811NLTWG-VB 產品詳細

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產品簡介：

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NTTFS5811NLTWG-VB是一款高效單N溝道MOSFET，採用DFN8(3x3)封裝，專為要求高功率密度和優異熱管理的應用而設計。其額定VDS為40V，具有出色的導通性能和低導通電阻，非常適合在多種電源管理和開關應用中使用。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A			4.5mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(3X3)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(3X3)	Single-N	40V		2.5V	40A		Trench

詳細參數說明
- **封裝**：DFN8(3x3)
- **配置**：單N溝道
- **VDS**：40V
- **VGS**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：2.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 4.5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流（ID）**：40A
- **技術**：Trench

領域和模塊應用：

應用領域與模組
NTTFS5811NLTWG-VB廣泛應用於電源管理系統、DC-DC轉換器以及高效能的電動汽車驅動電路。由於其低導通電阻，該MOSFET非常適合用於移動設備和可攜式充電器，能夠顯著提高能效並延長電池壽命。在工業自動化和家用電器中，該器件也能提供穩定的功率控制，確保設備在不同負載下的高效運行。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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