P07D03LVG-VB - VBsemi MOSFETs製造商

P07D03LVG-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

返回上級頁面

產品簡介：

：**
P07D03LVG-VB是一款雙N溝道MOSFET，封裝為SOP8，適用於高效能電源管理和開關應用。其設計具有30V的漏源電壓和20V的柵源電壓，採用Trench技術，能夠實現低導通電阻，從而提高整體效率和可靠性。

**

文件下載

下載PDF檔案

立即下載

點擊查看大圖

產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A			16mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOP8	Dual-N+N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOP8	Dual-N+N	30V		1.7V	8.5A		Trench

：**
- **VDS（漏源電壓）：** 30V
- **VGS（柵源電壓）：** ±20V
- **Vth（閾值電壓）：** 1.7V
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 20mΩ @ VGS=4.5V；16mΩ @ VGS=10V
- **ID（最大漏電流）：** 8.5A
- **技術類型：** Trench

**

領域和模塊應用：

：**
P07D03LVG-VB廣泛應用於電源管理模組、DC-DC轉換器和LED驅動電路。由於其低導通電阻，這款MOSFET在高效能電源解決方案中表現優異，能夠有效減少功耗和發熱。此外，在工業控制和消費電子設備中，該器件能夠提供可靠的開關性能，滿足高電流需求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

* 如果您對產品有任何問題，請填寫表格提交，我們會24小時內回復您

推广型号

P07D03LVG-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

推广型号

P07D03LVG-VB 產品詳細

產品簡介：

文件下載

下載PDF檔案

產品參數：

領域和模塊應用：

技術支援：

打樣申請

QQ諮詢

電話諮詢

微信諮詢

一鍵置頂

打樣申請

序列號驗證