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P11NK40Z-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
P11NK40Z-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,專為要求高電壓和高電流應用而設計,採用TO220封裝。這款MOSFET具有650V的漏極到源極電壓(VDS)和9A的持續電流(ID),能夠滿足多種高壓電源管理和開關控制的需求。其導通電阻(RDS(ON))在柵源電壓(VGS)為10V時為500mΩ,保證了較低的導通損耗,從而提高了電路效率。採用SJ_Multi-EPI技術,使該器件在高溫和高負載下仍具備優異的性能和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A 500mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 9A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明
- **型號**: P11NK40Z-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 500mΩ(VGS = 10V)
- **持續電流 (ID)**: 9A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域及模組示例
P11NK40Z-VB在多個領域和模組中具有廣泛應用。首先,在**開關電源**領域,它能夠作為高效開關元件,提升電源轉換效率,降低能耗。其次,在**電動機驅動**應用中,該MOSFET可用於控制高壓直流電動機,確保快速回應和穩定運行。此外,在**LED照明控制**系統中,P11NK40Z-VB可作為高效的開關元件,優化照明的能效表現。在**電池管理系統**中,它能夠實現對電池充放電的精確控制,確保安全與效率。最後,在**汽車電子**領域,該器件適用於高壓電源管理和負載開關,滿足嚴苛的工作環境要求,提供可靠的性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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