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P1606AT-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

P1606AT-VB是一款採用TO220封裝的單N溝道MOSFET,具有高效能和良好的熱管理性能。該器件的VDS(漏源電壓)為60V,能夠在高壓環境中穩定工作。其低RDS(ON)值使其在開關應用中表現出色,適用於需要快速開關和高效率的場合。此MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.7V,適合低電壓驅動的應用,廣泛應用於電源管理、直流電機控制以及其他高效能電路中。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A 11mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 60A Trench
詳細參數說明

- **型號**: P1606AT-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 60A
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

適用領域與模組示例

1. **電源管理**: P1606AT-VB適用於開關電源設計,能夠在高頻下提供低導通損耗,提高電源轉換效率,適合用於AC-DC電源和DC-DC轉換器。

2. **直流電機控制**: 該MOSFET可用於直流電機驅動電路,憑藉其高電流承載能力和快速開關特性,使其成為電動機控制應用中的理想選擇,特別是在電動車輛和工業自動化設備中。

3. **消費電子**: 在LED驅動、音頻放大器等消費電子產品中,P1606AT-VB可提供高效的功率傳輸,滿足緊湊型設計和高性能要求。

4. **電池管理系統**: 由於其低導通電阻和高效率,此MOSFET非常適合用於電池管理系統中,幫助優化充電與放電過程,延長電池使用壽命。

通過其出色的電氣性能,P1606AT-VB在現代電子設計中提供了廣泛的應用可能性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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