P200NF04-VB - VBsemi MOSFETs製造商

P200NF04-VB 產品詳細

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產品簡介：

產品簡介
P200NF04-VB是一款高性能單N溝道MOSFET，採用TO220封裝，專為高效能電源管理和開關應用而設計。該器件具有40V的漏源電壓（VDS）和±20V的柵源電壓（VGS），在電流傳輸方面表現卓越。P200NF04-VB在4.5V的柵電壓下，導通電阻（RDS(ON)）為15mΩ，而在10V時降至僅2mΩ，確保在高負載條件下的低能量損耗和出色的熱管理。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	40V		3V	180A			2mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	40V		3V	180A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	40V		3V	180A		Trench

詳細參數說明
- **型號**：P200NF04-VB
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **最大漏源電壓（VDS）**：40V
- **最大柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 15mΩ（@VGS=4.5V）
- 2mΩ（@VGS=10V）
- **最大漏極電流（ID）**：180A
- **技術**：Trench

領域和模塊應用：

應用領域與模組
P200NF04-VB廣泛應用於多個領域，包括電源管理、DC-DC轉換器、電動機驅動和高效能開關電源等。在電源管理方面，該器件常用於高效的DC-DC轉換器，提供優異的能量轉換效率。在電動機驅動應用中，P200NF04-VB能夠以高電流驅動電動機負載，實現快速回應和高效控制。此外，在高效能開關電源設計中，該MOSFET因其低導通電阻和高電流能力，能夠有效降低功耗，提升系統整體性能，滿足現代電子設備對能效和可靠性的嚴格要求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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