產品簡介
P20NM60-VB是一款高壓N溝道MOSFET，採用TO220封裝，專為高電壓應用設計。該器件的最大漏極源電壓（VDS）可達650V，適合於各種電源管理和開關應用。P20NM60-VB在10V柵電壓下具有160mΩ的導通電阻（RDS(ON)），在20A的最大漏極電流（ID）條件下，能夠實現高效的電流傳輸，確保系統的可靠性和性能。該MOSFET採用SJ_Multi-EPI技術，優化了熱管理和導電性，使其在高負載和高壓環境下表現出色。