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P2N60-VB 產品詳細

產品簡介:

P2N60-VB 產品簡介

P2N60-VB是一款高電壓N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓應用而設計。該器件的漏源電壓高達650V,適合在要求高耐壓的環境中工作,能夠提供可靠的電源開關和控制功能。其平面工藝技術確保了出色的性能,適用於各種工業和消費類電子設備。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A 3120mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 2A Plannar
詳細參數說明

- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 3900mΩ @ VGS = 4.5V
- 3120mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 2A
- **技術**: 平面(Plannar)

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **電源轉換器**: P2N60-VB在高壓開關電源和DC-DC轉換器中得到了廣泛應用,其650V的漏源電壓使其能夠處理各種高壓環境,提高系統的安全性和可靠性。

2. **照明控制**: 該MOSFET適用於智能照明控制系統,可以用作燈具的開關,以高效的方式管理照明負載,支持調光和能耗控制。

3. **電動機驅動**: 在工業電動機驅動中,P2N60-VB可用於控制高電壓電機的啟動和運行,確保電機在高負載下的穩定性和高效能。

4. **家用電器**: 在一些家用電器中,P2N60-VB可用作電源開關,保障設備的高效工作,提升能效。

5. **逆變器應用**: P2N60-VB也適合在太陽能逆變器中使用,能夠處理來自太陽能電池板的高電壓輸出,實現高效能的電力轉換。

通過這些應用實例,可以看出P2N60-VB在多個領域中提供了高效且可靠的解決方案,以滿足高電壓應用的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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