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P4NB80-VB 產品詳細

產品簡介:

P4NB80-VB 產品簡介

P4NB80-VB 是一款高壓單極N溝道MOSFET,採用TO220封裝,設計用於處理高達850V的漏源電壓。這款器件的最大漏電流為4A,適合多種高電壓應用。憑藉其2700mΩ的導通電阻(在VGS=10V下),P4NB80-VB能夠在高電壓環境中實現有效的電流控制和低功耗運行。其採用的Plannar技術確保了高可靠性和穩定性,適合在苛刻的電氣條件下工作。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A 2700mΩ Plannar
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 850V 3.5V 4A Plannar
詳細參數說明

- **型號**: P4NB80-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單極N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 850V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2700mΩ (VGS=10V)
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術**: Plannar技術

領域和模塊應用:

適用領域與模組

1. **高壓電源**: P4NB80-VB廣泛應用於高壓DC-DC轉換器和開關電源,可以在850V的高電壓下穩定工作,提供有效的電源管理解決方案。

2. **工業控制**: 在工業設備中,該MOSFET適用於電機驅動和負載控制,能夠可靠地處理高電壓和中等電流,提高系統的效率和安全性。

3. **照明系統**: P4NB80-VB可用於高壓照明應用,例如大功率LED驅動電源,保證光源穩定運行,並減少能量損耗。

4. **汽車電子**: 在汽車電子系統中,P4NB80-VB可用於高壓電源管理和電機控制,提升電氣系統的性能和穩定性。

5. **通信設備**: 該器件也適合用於通信基礎設施中的電源模組,能夠有效處理高電壓信號並確保設備的可靠運行。

P4NB80-VB通過其在多種領域的應用,展示了高壓MOSFET在現代電子設計中的重要性,滿足了高性能和高可靠性的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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