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P609-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
P609-VB是一款高效的雙N-P溝道MOSFET,採用DIP8封裝,設計漏源電壓為±60V,適合多種電源管理和開關應用。該器件具備±4A的最大漏電流能力,採用先進的Trench技術,導通電阻低(RDS(ON)為42mΩ/55mΩ@VGS=10V),確保高效能和低功耗。P609-VB非常適合用於各種電子產品及電路設計,提供可靠的性能和穩定性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DIP8 Dual-N+P ±60V ±2V 4.7/-4A 42/55mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DIP8 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DIP8 Dual-N+P ±60V ±2V 4.7/-4A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DIP8 Dual-N+P ±60V ±2V 4.7/-4A Trench
詳細參數說明
- **封裝**:DIP8
- **配置**:雙N-P溝道
- **漏源電壓(VDS)**:±60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:±2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V: 47mΩ / 60mΩ
- @VGS=10V: 42mΩ / 55mΩ
- **漏電流(ID)**:4.7A / -4A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組
P609-VB適用於多個領域和模組,具體包括:

1. **電源管理**:在開關電源和DC-DC轉換器中,該MOSFET能夠高效調節電能,適合電源分配和穩壓應用,提升系統效率。

2. **電機驅動**:在電動機控制系統中,P609-VB作為開關元件,可以實現精確控制,適合各種工業和消費電子設備。

3. **LED驅動**:該器件在LED照明中廣泛應用,能夠提供穩定的電流和高效的亮度調節,滿足智能照明的需求。

4. **汽車電子**:在汽車電源管理和控制系統中,P609-VB適合高電壓和電流的應用,確保系統的可靠性和安全性。

5. **通信設備**:在無線通信和數據傳輸設備中,該MOSFET的快速開關特性可提高系統性能,滿足現代通信設備對高效率的需求。

通過這些應用,P609-VB展示出在高效能和可靠性方面的卓越表現,適應現代電子產品的多樣化需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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