PHP52N06T-VB - VBsemi MOSFETs製造商

PHP52N06T-VB 產品詳細

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產品簡介：

PHP52N06T-VB 產品簡介

PHP52N06T-VB是一款高性能的N溝道MOSFET，採用TO220封裝，適用於各種高功率和高頻率的應用。該器件具有60V的漏源電壓（VDS），在低柵源電壓下表現出優異的導通電阻特性，RDS(ON)在VGS=4.5V時為28mΩ，在VGS=10V時為24mΩ。這使得該器件在電源管理、開關電源和電機驅動等應用中非常有效。其最大漏電流為50A，適合用於需要高電流和低導通損耗的場合。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	50A			24mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	50A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	60V		1.7V	50A		Trench

詳細參數說明

- **型號**: PHP52N06T-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 28mΩ @ VGS=4.5V
- 24mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 50A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用：

應用領域和模組示例

1. **電源管理**: PHP52N06T-VB在開關電源中廣泛應用，能夠提供高效率的電能轉換。其低導通電阻特性減少了在開關過程中的能量損耗。

2. **電機驅動**: 該器件適用於各種電機驅動電路，如直流電機和步進電機驅動器，能夠處理較大的電流並提高系統的效率和可靠性。

3. **逆變器**: 在太陽能逆變器和UPS系統中，該MOSFET可用於實現高效的電力轉換，確保系統在不同負載下的穩定運行。

4. **LED驅動**: 在LED驅動電源中，PHP52N06T-VB可以有效控制LED的亮度，並保證長時間工作的可靠性。

通過上述應用示例，可以看出PHP52N06T-VB在高功率應用領域具有廣泛的適用性，尤其是在需要高電流和低能耗的場合表現優異。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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