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QM3024N3-VB 產品詳細

產品簡介:

QM3024N3-VB 產品簡介

QM3024N3-VB 是一款高效能的單N溝道MOSFET,採用DFN8(3X3)封裝,旨在提供卓越的電源管理和開關性能。其最大漏源電壓(VDS)為30V,支持±20V的柵源電壓(VGS),閾值電壓(Vth)為1.7V。在VGS為4.5V時,導通電阻(RDS(ON))為5mΩ,而在VGS為10V時則為3.9mΩ,最大漏電流(ID)可達到60A。憑藉Trench技術,該MOSFET 在高頻應用中表現出色,適用於各種高效電源系統。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A 3.9mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 60A Trench
詳細參數說明

- **型號**:QM3024N3-VB
- **封裝**:DFN8(3X3)
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- @VGS=4.5V:5mΩ
- @VGS=10V:3.9mΩ
- **最大漏電流 (ID)**:60A
- **技術類型**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域與模組

1. **電源管理系統**:
- QM3024N3-VB 在電源管理中非常重要,適用於開關電源和電源分配系統,提高能效並降低能耗。

2. **DC-DC轉換器**:
- 該MOSFET 適合用於DC-DC轉換器,能夠在高負載情況下保持低導通損耗,常見於電源適配器和可攜式設備中。

3. **工業自動化**:
- QM3024N3-VB 可用於工業設備的電機驅動和控制系統,提供高效率和高可靠性的電源解決方案。

4. **LED驅動應用**:
- 在LED驅動電路中,該器件能夠提供穩定的電流輸出,減少熱量生成,延長LED的使用壽命。

5. **消費電子產品**:
- QM3024N3-VB 在智能手機、平板電腦等消費電子產品中作為功率開關,支持高效的電源轉換和管理。

通過這些應用,QM3024N3-VB MOSFET 提供了高效、可靠的解決方案,滿足各種高性能市場的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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