QM3116M6-VB - VBsemi MOSFETs製造商

QM3116M6-VB 產品詳細

描述
參數
應用
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產品簡介：

QM3116M6-VB 是一款高性能的單N通道MOSFET，採用DFN8(5X6)封裝，設計用於需要高電流和高效率的應用場景。該器件具有最大漏極源極電壓（VDS）為30V和最大漏極電流（ID）可達160A，適合要求嚴格的功率管理任務。憑藉其超低的導通電阻（RDS(ON)），QM3116M6-VB 在各種電源轉換和驅動應用中表現出色，能夠顯著提升系統的能效。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A			1.8mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
DFN8(5X6)	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
DFN8(5X6)	Single-N	30V		1.7V	160A		Trench

型號: QM3116M6-VB
封裝: DFN8(5X6)
配置: 單N通道
最大漏極源極電壓 (VDS): 30V
最大柵源電壓 (VGS): ±20V
閾值電壓 (Vth): 1.7V
導通電阻 (RDS(ON)):
2.5mΩ @ VGS = 4.5V
1.8mΩ @ VGS = 10V
最大漏極電流 (ID): 160A
技術: Trench

領域和模塊應用：

電源管理系統: QM3116M6-VB 在高效開關電源（SMPS）中廣泛應用，其低導通電阻和高電流能力確保高效率的電能轉換，適合用於AC-DC和DC-DC轉換器。

電動汽車: 該MOSFET 可作為電動汽車動力系統中的功率開關，實現電池的高效充放電，優化電動汽車的續航能力和整體能效。

工業驅動器: 在電動機驅動和工業自動化系統中，QM3116M6-VB 能夠處理大電流負載，提升驅動器的性能和穩定性，適合於各種工業應用。

LED驅動電源: QM3116M6-VB 在LED照明驅動電路中表現優異，可以提供穩定的電流輸出，廣泛應用於室內外照明系統，提升光效和能效。

消費電子產品: 該器件也適用於智能手機、平板電腦等消費電子產品中的電源管理，幫助優化電池使用效率，延長設備的使用時間。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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