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RFP12N18-VB 產品詳細

產品簡介:

RFP12N18-VB 產品簡介

RFP12N18-VB 是一款高性能單N通道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓和大電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為200V,適合在高電壓條件下工作。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為3V,能夠在較低的柵源電壓下迅速導通,RDS(ON)值為110mΩ(在VGS=10V時),確保在導通狀態下具備良好的導電性能,從而降低功耗和發熱。最大漏極電流(ID)為30A,使其在各種高電流應用中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A 110mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 200V 3V 30A Trench
詳細參數說明

- **型號**:RFP12N18-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:200V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:110mΩ(在VGS=10V時)
- **最大漏極電流 (ID)**:30A
- **技術**:Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **開關電源**:RFP12N18-VB 在開關電源(SMPS)中具有廣泛應用,特別是在需要高電壓和高效率的場合。其低導通電阻能夠有效減少能量損失,提高轉換效率。

2. **電機驅動**:在電機驅動系統中,該MOSFET 可以用於控制直流電機和步進電機,支持大電流輸出並提供可靠的功率管理,確保電機在不同負載條件下平穩運行。

3. **電動汽車和充電樁**:由於其高耐壓能力,RFP12N18-VB 適合用於電動汽車的電池管理系統和充電樁,能夠處理高電壓充電和放電操作,保障電動汽車的安全性和性能。

4. **照明系統**:該MOSFET 可用於LED照明控制中,提供穩定的電流和電壓,確保LED燈具的亮度和使用壽命,適合各種商業和工業照明應用。

5. **工業自動化**:在工業設備中,RFP12N18-VB 可作為功率開關使用,例如在焊接、加熱和控制系統中,為設備提供強大的電源支持,提升工作效率。

通過這些應用領域的示例,可以看出RFP12N18-VB 在各種需要高性能和高可靠性的電氣系統中發揮著重要作用。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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