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RQ1C065UN-VB 產品詳細

產品簡介:

RQ1C065UN-VB 產品簡介

RQ1C065UN-VB 是一款高性能的單N通道 MOSFET,採用 DFN8 (3x3) 封裝,專為低電壓和高電流應用設計。該器件具有30V的最大漏極-源電壓和高達13A的漏極電流能力,非常適合用於需要高效能和緊湊設計的電力電子系統。憑藉其低導通電阻,RQ1C065UN-VB 能夠在高電流條件下顯著降低能量損耗,提升整體系統的效率。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A 8mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
DFN8(3X3) Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
DFN8(3X3) Single-N 30V 1.7V 13A Trench
詳細參數說明

- **型號**: RQ1C065UN-VB
- **封裝**: DFN8 (3x3)
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極-源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵極-源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **電源管理**: RQ1C065UN-VB 常用於電源管理系統,尤其是在高效 DC-DC 轉換器中,通過其低導通電阻和高電流能力,能夠提高能量轉換效率,降低功率損耗。

2. **電動機控制**: 該 MOSFET 在電動機驅動應用中表現優異,能夠為電動機提供快速的開關回應和精確的電流控制,適合用於電動工具和自動化設備。

3. **充電器設計**: RQ1C065UN-VB 可用於智能設備的充電器和電池管理系統中,確保安全和高效的電池充電和放電過程,延長電池的使用壽命。

4. **LED驅動電路**: 在LED驅動應用中,RQ1C065UN-VB 可作為開關元件,提供穩定的輸出,確保LED照明的高效和均勻。

5. **通信設備**: 該器件也適合用於各種通信設備和模組中,提供高效的電源開關功能,支持設備的穩定運行。

通過這些應用示例,RQ1C065UN-VB 展示了其在低電壓電力電子領域的廣泛適用性和重要性。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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