RSF015N06-VB - VBsemi MOSFETs製造商

RSF015N06-VB 產品詳細

描述
參數
應用
技術支援

產品簡介：

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RSF015N06-VB是一款高效的單N通道MOSFET，採用SC70-3封裝，具備60V的漏源電壓（VDS）和4A的最大漏電流（ID）。該器件支持±20V的柵源電壓（VGS），閾值電壓（Vth）為1.7V。導通電阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V時為86mΩ，而在VGS=10V時為75mΩ。該MOSFET基於Trench技術設計，適合用於高效能和低功耗的應用場景，尤其在空間有限的電子設備中表現出色。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	4A			75mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SC70-3	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	4A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SC70-3	Single-N	60V		1.7V	4A		Trench

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- **型號：** RSF015N06-VB
- **封裝：** SC70-3
- **配置：** 單N通道
- **漏源電壓（VDS）：** 60V
- **柵源電壓（VGS）：** ±20V
- **閾值電壓（Vth）：** 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）：**
- 86mΩ（VGS=4.5V）
- 75mΩ（VGS=10V）
- **最大漏電流（ID）：** 4A
- **技術：** Trench

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領域和模塊應用：

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RSF015N06-VB廣泛應用於電源管理和開關電源（SMPS），特別適用於電池管理系統、可攜式電子設備和LED驅動等領域。由於其小巧的SC70-3封裝，該MOSFET非常適合在空間受限的電路設計中使用，如移動設備、智能穿戴設備和消費電子產品。此外，該器件的低導通電阻特性使其在高效能電源轉換和管理中具有顯著優勢，幫助提升整體系統的能效和可靠性。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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