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RTU002P02T106-VB 產品詳細

產品簡介:

RTU002P02T106-VB 產品簡介

RTU002P02T106-VB是一款高效的單P溝道MOSFET,採用超小型SC70-3封裝,專為空間受限的應用設計。該器件具有-20V的漏極到源極電壓(VDS),可支持最大-3.1A的連續電流,適用於各種需要負壓驅動的電路。利用先進的Trench技術,該MOSFET在不同柵極驅動電壓下展現出出色的導通電阻(RDS(ON)),顯著降低功耗,提升整體系統的能效。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A 100mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-3 Single-P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-3 Single-P -20V -0.6V -3.1A Trench
詳細參數說明

- **型號**: RTU002P02T106-VB
- **封裝**: SC70-3
- **配置**: 單P溝道
- **VDS**: -20V
- **VGS**: ±12V
- **閾值電壓 (Vth)**: -0.6V
- **RDS(ON)**:
- 100mΩ @ VGS=2.5V
- 80mΩ @ VGS=4.5V
- **ID**: -3.1A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例

1. **可攜式設備**: RTU002P02T106-VB非常適合用於可攜式電子設備,如智能手機、平板電腦和可攜式音頻設備,以其小巧的封裝和高效能滿足對低功耗的需求。

2. **負載開關**: 在智能家居應用中,該MOSFET可以作為負載開關,確保安全和可靠的電源管理,例如在智能插座和燈光控制系統中實現精確的開關控制。

3. **電源管理**: 在各種電源管理電路中,RTU002P02T106-VB可用於DC-DC轉換器,通過降低導通電阻來提高系統的整體效率,適用於需要高效能和緊湊設計的電路。

4. **音頻設備**: 在音頻放大器中,該MOSFET可以用作功率開關,幫助控制音頻輸出,提高音質和系統回應速度,確保高保真的音頻表現。

通過這些應用示例,RTU002P02T106-VB展現了其在多種領域的廣泛適用性和卓越性能,適合現代電子產品的各種需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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