RU1H100R-VB - VBsemi MOSFETs製造商

RU1H100R-VB 產品詳細

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產品簡介：

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RU1H100R-VB是一款高效的TO220封裝單管N型MOSFET，設計用於高電壓和大電流的應用。其VDS耐受能力達到100V，使其在多種電源管理和開關應用中表現出色。憑藉其優越的導通電阻特性（20mΩ@VGS=4.5V和9mΩ@VGS=10V），RU1H100R-VB能夠提供高效的電流傳輸，顯著降低能量損耗。

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產品參數：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
TO220	Single-N	100V		2.5V	100A			9mΩ	Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
TO220	Single-N						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
TO220	Single-N	100V		2.5V	100A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
TO220	Single-N	100V		2.5V	100A		Trench

參數說明
- **封裝**：TO220
- **配置**：單N型通道
- **VDS**：100V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：2.5V
- **RDS(ON)**：20mΩ（VGS=4.5V），9mΩ（VGS=10V）
- **ID**：100A
- **技術**：Trench

領域和模塊應用：

應用領域
RU1H100R-VB廣泛應用於電源管理模組，如DC-DC轉換器和開關電源，其高電流處理能力和低導通電阻使其成為高效能電源設計的理想選擇。此外，在汽車電子領域，該MOSFET適合於電機驅動和電源控制應用，能夠在高負載條件下穩定運行。它還被用於工業設備和家用電器的開關控制，滿足高可靠性和效率要求，支持各種現代電子系統的運行需求。

*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援：

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