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RU1H7H-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
RU1H7H-VB是一款高效能的單極N溝道MOSFET,採用SOP8封裝,專為低到中等電壓應用設計。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為100V,支持高達9A的漏電流(ID),使其在電源管理和開關控制應用中表現出色。憑藉其適中的導通電阻和優良的開關特性,RU1H7H-VB能夠有效提升電路的效率和可靠性。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A 32mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 9A Trench
詳細參數說明
- **型號**: RU1H7H-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS=4.5V
- 32mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 9A
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例
RU1H7H-VB適用於多個電子領域,具體應用包括:

1. **電源管理**: 在DC-DC轉換器中,該MOSFET可用作高效開關,優化電壓轉換,降低能耗並提升系統效率。

2. **負載開關**: 在各種消費電子產品中,RU1H7H-VB能夠快速切換負載,優化能耗表現,確保設備的高效運行。

3. **電動機驅動**: 在小型電動機控制電路中,該MOSFET可用於電動機的啟動與控制,實現穩定而高效的電機驅動。

4. **LED驅動電路**: 在LED照明模組中,RU1H7H-VB可高效驅動LED,確保光輸出的穩定性和節能效果。

5. **音頻放大器**: 在音頻放大器設計中,該MOSFET可用於信號的開關控制,提升音質表現並減少信號損失。

通過這些應用,RU1H7H-VB幫助設計師實現高效能的電路設計,滿足現代電子產品對高性能和低功耗的需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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