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RU1HE3H-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
RU1HE3H-VB是一款高性能單極N型MOSFET,採用SOP8封裝,專為高電壓和中等電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為100V,能夠承受高達4.2A的漏電流,適合各種電源管理和開關應用。該MOSFET的閾值電壓(Vth)為1.8V,使其在較低的柵源電壓下即可可靠開啟。導通電阻(RDS(ON))在4.5V和10V的柵源電壓下分別為128mΩ和124mΩ,提供了良好的導電性能,適合在多種電子設備中使用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A 124mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SOP8 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SOP8 Single-N 100V 1.8V 4.2A Trench
詳細參數說明
- **型號**:RU1HE3H-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:單極N型
- **最大漏源電壓(VDS)**:100V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.8V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 128mΩ @ VGS = 4.5V
- 124mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:4.2A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
RU1HE3H-VB MOSFET在多個領域和模組中有廣泛的應用,具體包括:

1. **電源管理**:在開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器中,該MOSFET可作為開關元件,適合用於電腦、電視等消費電子設備的電源管理。

2. **LED驅動**:在LED照明應用中,該MOSFET可以用作驅動電路,實現對LED的亮度控制,適合家庭和商業照明。

3. **電動機控制**:RU1HE3H-VB在小型電動機驅動電路中表現出色,能夠處理適中的電流,廣泛應用於風扇、泵和玩具等產品中。

4. **電池管理系統**:該MOSFET適用於鋰電池的充放電控制電路,能夠實現有效的電流管理,保障電池的安全和性能,適合可攜式設備和電動工具。

5. **音頻放大器**:在音頻放大器電路中,RU1HE3H-VB可以用作輸出級元件,提供高效的信號放大,改善音質,適用於家庭影院和專業音響設備。

通過這些應用示例,RU1HE3H-VB在現代電子設備中的重要性得以體現,特別是在對效率和可靠性有高要求的場合。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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