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RU40190R-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
RU40190R-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為中高電壓和大電流應用設計。其最大漏源電壓為40V,能夠支持高達180A的漏電流,適合在高負載條件下穩定工作。RU40190R-VB的導通電阻非常低(RDS(ON)為2mΩ@VGS=10V),使其在電源轉換和管理中能夠顯著提高效率。採用先進的Trench技術,該MOSFET在節能和熱管理方面表現出色,適用於各種要求高效能的應用。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A 2mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 40V 3V 180A Trench
詳細參數說明
- **型號**: RU40190R-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓(VDS)**: 40V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 15mΩ @ VGS = 4.5V
- 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 180A
- **技術**: Trench

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
1. **電源管理**: RU40190R-VB廣泛用於高效的DC-DC轉換器和開關電源(SMPS),其低導通電阻和高電流處理能力使其在電源管理系統中顯著提高能效,減少發熱和能量損失。

2. **電動汽車**: 在電動汽車的驅動系統和電池管理模組中,該MOSFET能夠高效地處理高電流,確保安全可靠的電源連接,適應動態負載的變化。

3. **工業設備**: RU40190R-VB在電機驅動、變頻器和自動化控制系統中表現出色,支持高效的電流控制,適合各種工業應用場合。

4. **消費電子**: 在電源適配器和快速充電設備中,該MOSFET能夠有效管理電源切換,提高充電效率,滿足現代消費電子產品對快速充電和穩定電源的需求。

RU40190R-VB憑藉其卓越的性能和廣泛的應用前景,展示了在現代高功率電子設備中的重要性,能夠滿足各種高效能和可靠性要求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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