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RU4H10R-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介

RU4H10R-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓應用設計。其漏源電壓可達到650V,適合用於高電壓和高功率的電子設備。該器件的導通電阻(RDS(ON))在柵源電壓為10V時為420mΩ,能夠有效降低開關損耗,提高能效,適用於各種電源管理和轉換應用。RU4H10R-VB的SJ_Multi-EPI技術使其在高電壓操作時表現出色,為客戶提供可靠的解決方案。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 11A 420mΩ SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 11A SJ_Multi-EPI
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 650V 3.5V 11A SJ_Multi-EPI
詳細參數說明

- **型號**: RU4H10R-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 420mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**: 11A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例

1. **高壓開關電源**: RU4H10R-VB在高壓開關電源中廣泛應用,能夠承受高達650V的電壓,適合用於各種工業電源和AC-DC轉換器,提供穩定的電流輸出。

2. **電動工具和設備**: 該MOSFET可用於電動工具及其他高功率設備的電源管理,有效控制大功率電流,確保設備在高負載條件下的安全運行。

3. **逆變器應用**: 在太陽能逆變器和其他可再生能源系統中,RU4H10R-VB提供高效的電流開關功能,優化能量轉換效率。

4. **電機驅動**: RU4H10R-VB適合用於電機驅動控制電路,能夠有效應對高電壓和大電流需求,提高電機的回應速度和效率。

5. **汽車電子**: 在汽車高壓電子控制系統中,該MOSFET可用於電力管理,確保各類電子設備在惡劣條件下的穩定性和安全性。

通過這些應用,RU4H10R-VB展示了其在高電壓領域的廣泛適用性,為多種行業提供高效可靠的電力解決方案。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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