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RU55111R-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介
RU55111R-VB是一款高效能單N型MOSFET,採用TO220封裝,專為高電壓和大電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為60V,適合廣泛的電源和驅動電路。MOSFET的閾值電壓(Vth)為3V,使其在中等柵源電壓下能夠可靠開啟。RU55111R-VB的導通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時僅為5mΩ,能夠顯著降低功耗,提高整體系統的能效,尤其適用於高負載環境。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
詳細參數說明
- **型號**:RU55111R-VB
- **封裝**:TO220
- **配置**:單N型
- **最大漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:120A
- **技術**:Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域和模組示例
RU55111R-VB MOSFET在多個領域和模組中具有廣泛的應用,以下是一些具體的應用示例:

1. **電源轉換器**:在高效的DC-DC轉換器中,該MOSFET可用於開關元件,確保低導通損耗和高轉換效率,廣泛應用於電腦電源、工業電源等。

2. **電動機驅動**:RU55111R-VB適合用於各種電動機控制應用,包括電動車輛和自動化設備,提供高效的電流管理和穩定的驅動性能。

3. **電池管理系統**:在電池充電和保護電路中,該MOSFET可用於控制充放電過程,提升電池充電效率,尤其適合電動汽車和可再生能源系統。

4. **LED驅動電路**:該MOSFET能夠高效驅動LED燈具,適用於照明行業,提供可靠的電流控制,提升LED性能和壽命。

5. **音頻放大器**:在高功率音頻放大器中,RU55111R-VB可以用於輸出級,提供強勁的功率輸出,適合專業音響系統和家庭影院。

通過這些應用,RU55111R-VB MOSFET展現了其在現代電子設備中的重要作用,滿足高性能和高效率的市場需求。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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