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RU6075R-VB 產品詳細

產品簡介:

RU6075R-VB 產品簡介

RU6075R-VB是一款高性能N溝道MOSFET,採用TO220封裝,專為高電流和中等電壓應用設計。其最大漏極源極電壓(VDS)為60V,能夠承載高達120A的漏電流(ID),非常適合於需要高功率和高效率的電源管理系統。RU6075R-VB在VGS為10V時的導通電阻(RDS(ON))僅為5mΩ,保證了優異的電流傳輸性能和低功耗運行,使其在現代電子設備中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A 5mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 3V 120A Trench
詳細參數說明

- **型號**: RU6075R-VB
- **封裝**: TO220
- **配置**: 單個N溝道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵極源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 120A
- **技術**: Trench技術

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例

RU6075R-VB廣泛應用於多個領域和模組,包括:

1. **電源轉換器**:
- 在高效的DC-DC轉換器和AC-DC電源中,該MOSFET作為開關元件,能有效提高能量轉換效率,適用於電腦電源、伺服器和數據中心。

2. **電動汽車**:
- 在電動汽車的動力系統和電池管理中,RU6075R-VB能夠提供可靠的高電流控制,確保電動驅動系統的高效運行和安全性。

3. **工業控制**:
- 用於工業自動化設備中,該MOSFET可用於電機驅動和其他高功率應用,保證在高負載條件下的穩定性和效率。

4. **LED照明驅動**:
- 在LED照明驅動電路中,RU6075R-VB能夠高效驅動LED模組,優化光源控制,提升照明效果和能效。

5. **消費電子產品**:
- 在各種可攜式電子設備和家電中,該MOSFET可用於電源管理和分配,提供更高的能效和用戶體驗。

憑藉其優異的電氣性能和廣泛的應用範圍,RU6075R-VB成為現代電子設計中不可或缺的關鍵元件。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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