產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
|
3mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| DFN8(5X6) |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
120A |
|
Trench |
RUH3051M-VB MOSFET - 詳細參數說明
| 參數 | 說明 |
|--------------------------|----------------------------------------------------|
| **封裝** | DFN8 (5x6) 封裝 |
| **配置** | 單極 N-溝道 (Single-N-Channel) |
| **最大漏源電壓 (V_DS)** | 30V |
| **最大柵源電壓 (V_GS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (V_th)** | 1.7V |
| **導通電阻 (R_DS(ON))** | 5mΩ(在 V_GS = 4.5V 時),3mΩ(在 V_GS = 10V 時) |
| **最大漏極電流 (I_D)** | 120A |
| **技術** | Trench 技術 |
領域和模塊應用:
RUH3051M-VB MOSFET - 應用領域和模組舉例
RUH3051M-VB 的低導通電阻、高電流承載能力和緊湊的封裝設計,使其在多個高性能、高功率密度的應用領域中具有廣泛的適用性。以下是一些典型的應用舉例:
1. **電源管理系統**
RUH3051M-VB 非常適用於高效電源管理系統中,尤其是在可攜式設備和小型電子產品的電池管理系統中。低導通電阻能夠有效減少功率損耗,延長電池壽命,提高整體能效,適用於智能手機、筆記本電腦、平板電腦等設備的電源轉換模組。
2. **電動工具與電動驅動系統**
在電動工具、無人機、電動自行車等電動驅動系統中,RUH3051M-VB 可以提供高效的電流控制,幫助優化電動機驅動系統的效率,減少熱損耗,增強設備的穩定性和續航能力。
3. **汽車電子與電池管理系統(BMS)**
該 MOSFET 可用於電動汽車(EV)及混合動力汽車(HEV)的電池管理系統(BMS)中,處理電池充放電過程中的大電流。RUH3051M-VB 可在小型化的設計要求下提供高效的電流控制,保障電池系統的穩定和安全運行。
4. **DC-DC 轉換器與功率調節系統**
在各種電源系統中,尤其是 DC-DC 轉換器、降壓或升壓電路中,RUH3051M-VB 能夠為負載提供穩定且高效的電力供應。由於其低 R_DS(ON) 和高電流處理能力,它非常適合高效能電力轉換應用,如伺服器電源、工業電源等。
5. **無線充電與高頻電力傳輸**
在無線充電技術或高頻電力傳輸系統中,RUH3051M-VB 能夠提供低導通損耗、高效的開關特性,支持快速充電過程,適用於智能手機、電子設備以及其他無線充電解決方案。
6. **汽車逆變器與功率放大器**
在逆變器和功率放大器應用中,RUH3051M-VB 也可作為高效開關元件。其快速回應特性和低導通電阻有助於減少功率損失,提高整體效率,廣泛應用於汽車電源逆變器和其他高功率應用場景中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性