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SCH1402-TL-E-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:

**SCH1402-TL-E-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,採用 SC75-6 封裝,專為低電壓和中功率應用設計。其最大漏源電壓(VDS)為 30V,最大漏電流(ID)為 3A,適合用於電源管理、電池供電系統和負載開關等應用。該MOSFET在 4.5V 的門電壓下導通電阻為 27mΩ,而在 10V 的門電壓下則為 23mΩ,具備較低的導通損耗,能夠有效提升電源效率。SCH1402-TL-E-VB 採用 Trench 技術,具有優秀的開關性能,能夠在低電壓、高頻率應用中提供穩定、低損耗的性能,廣泛應用於可攜式設備、智能家居和汽車電子等領域。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A 23mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC75-6 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC75-6 Single-N 30V 1.7V 3A Trench
詳細參數說明:

- **型號**:SCH1402-TL-E-VB
- **封裝類型**:SC75-6
- **配置**:單極N型MOSFET
- **最大漏源電壓(VDS)**:30V
- **最大門源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 27mΩ @ VGS = 4.5V
- 23mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流(ID)**:3A
- **技術**:Trench
- **工作溫度範圍**:適用於各種環境溫度
- **應用領域**:電源管理、負載開關、可攜式設備、電池管理系統等

領域和模塊應用:

應用領域與模組示例:

1. **電源管理系統**:SCH1402-TL-E-VB 適用於DC-DC轉換器、功率管理模組以及電源轉換系統。在這些系統中,MOSFET的低導通電阻有助於降低功率損耗,提升轉換效率,適合於低電壓、高頻率的電源管理應用。

2. **負載開關與電池管理**:在低電壓電池管理和負載開關應用中,SCH1402-TL-E-VB 提供了精確的電流控制,特別適合用於可攜式設備、電池保護電路及電池驅動系統。在電池充電、放電和電池電壓監控等任務中,低RDS(ON)值使其成為高效能選擇。

3. **智能家居與物聯網設備**:在智能家居、物聯網(IoT)設備和感測器模組中,SCH1402-TL-E-VB 可以用作電流開關和電源管理元件。其高效、低功耗特性能夠延長電池使用壽命,適用於低功耗應用。

4. **汽車電子系統**:在汽車電子控制模組中,SCH1402-TL-E-VB 可以用於電池管理、功率轉換和電源分配系統。其低導通電阻能夠減少功耗,幫助提升汽車電子系統的總體效率和穩定性。

5. **消費電子產品**:SCH1402-TL-E-VB 在消費電子產品中有廣泛的應用,如智能穿戴設備、藍牙耳機、智能手錶等。由於其小型封裝和低功耗特性,它非常適合用於這些空間受限且要求長電池壽命的設備。

6. **無線設備與通信模組**:SCH1402-TL-E-VB 可廣泛應用於無線通信模組,尤其是無線感測器網路、藍牙和Wi-Fi模組中,作為開關元件和功率管理元件,確保低功耗運行和高效能傳輸。

7. **高效開關電源設計**:該MOSFET非常適用於高效開關電源設計,尤其在對熱管理和功率損耗要求較高的應用中。由於其較低的RDS(ON)值,它能夠在高開關頻率下有效減少能量損耗,提升系統效率。

通過這些應用領域的舉例,SCH1402-TL-E-VB MOSFET 在低電壓和中功率應用中表現出色,適用於多個領域的電源管理、電池控制和開關操作,特別是在要求高效率、低功耗和小型化的應用場景中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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