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SGSP382-VB 產品詳細

產品簡介:

1. **產品簡介:**

SGSP382-VB是一款高效、低導通電阻的單極N型MOSFET,採用TO220封裝。它具有60V的漏源電壓(VDS),最大漏電流(ID)為50A,柵源電壓(VGS)為±20V。SGSP382-VB的閾值電壓(Vth)為1.7V,意味著它可以在較低的柵源電壓下開始導通。該MOSFET採用Trench技術,具有極低的導通電阻(RDS(ON))為28mΩ(在VGS=4.5V時)和24mΩ(在VGS=10V時),這使得它在大電流應用中具有非常低的功率損耗。其高電流承載能力和低RDS(ON)特性使其特別適用於高效率電源轉換、負載開關、以及電動機驅動等領域。SGSP382-VB能夠在功率密集的環境中實現優異的電流控制和高效能轉換。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A 24mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
TO220 Single-N Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
TO220 Single-N 60V 1.7V 50A Trench
2. **詳細參數說明:**

- **型號**:SGSP382-VB
- **封裝類型**:TO220
- **配置**:單極N型MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 28mΩ @VGS=4.5V
- 24mΩ @VGS=10V
- **最大漏電流(ID)**:50A
- **技術類型**:Trench技術
- **功率耗散能力**:具體功率耗散能力根據工作環境和散熱設計進一步分析。

領域和模塊應用:

3. **應用領域與模組舉例:**

# 1. **電源管理與DC-DC轉換器:**
SGSP382-VB非常適用於電源管理系統,特別是在DC-DC轉換器中。它的低導通電阻(RDS(ON))和高電流承載能力使其在電源轉換中能夠大幅降低功率損耗,提高轉換效率。對於高效率電源轉換器,尤其是高功率電源模組(如伺服器電源、電腦電源、工業電源等),SGSP382-VB能夠提供低損耗、高效的電源管理解決方案。

# 6. **工業設備與自動化控制:**
SGSP382-VB在工業設備中,尤其是自動化控制系統中,發揮著重要作用。由於其50A的最大漏電流,它能夠在工業自動化設備中高效控制電流,保障控制信號的準確傳輸。該MOSFET還廣泛應用於工控電源、電動工具、電機控制器等設備中,有效提升系統的功率效率和回應速度。

總結:
SGSP382-VB是一款具有低導通電阻、高電流承載能力和高電壓耐受能力的N型MOSFET,廣泛應用於電源管理、電動機驅動、負載開關、電池管理系統、LED驅動及汽車電力管理等多個領域。其高效能特性能夠降低系統功率損耗,提高整體系統的效率,特別適合高電流和高功率要求的應用環境。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

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