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SI1563EDH-T1-GE3-VB 產品詳細

產品簡介:

產品簡介:SI1563EDH-T1-GE3-VB MOSFET

SI1563EDH-T1-GE3-VB 是一款雙通道 MOSFET,採用 SC70-6 封裝,配置為 N+P-Channel 結構,適用於低電壓和低功率應用。該 MOSFET 的最大漏源電壓 (V_DS) 為 ±20V,柵源電壓 (V_GS) 為 ±20V,具備較低的導通電阻,適合高效電源管理、負載開關、驅動電路等應用。其閾值電壓分別為 N-Channel 為 1.0V,P-Channel 為 -1.2V,導通電阻低至 90mΩ(在 V_GS = 4.5V 時),能夠有效減少能量損失,提升系統效率。採用 Trench 技術,適合高效開關應用,特別是在小型化、低功耗的電路設計中表現出色。

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產品參數:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A 110/190mΩ Trench
VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) VCEsat15V ICE Technology
SC70-6 Dual-N+P Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A Trench
VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds6 Technology
SC70-6 Dual-N+P ±20V 1.0/-1.2V 3.28/-2.8A Trench
詳細參數說明:

- **封裝**:SC70-6
- **配置**:雙 N+P-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**:±20V
- **柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:
- N-Channel:1.0V
- P-Channel:-1.2V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 在 V_GS = 2.5V 時:
- N-Channel:110mΩ
- P-Channel:190mΩ
- 在 V_GS = 4.5V 時:
- N-Channel:90mΩ
- P-Channel:155mΩ
- **漏極電流 (I_D)**:
- N-Channel:3.28A
- P-Channel:-2.8A
- **技術**:Trench 技術

領域和模塊應用:

應用領域及模組舉例:

1. **電源管理系統**:
SI1563EDH-T1-GE3-VB 的雙 N+P 通道設計使其在電源管理系統中具有較高的適應性。其低導通電阻和高效的開關特性使其非常適合用於低功耗電源和高效 DC-DC 轉換器,特別是用於可攜式設備、電池管理系統以及低功耗供電模組。

2. **負載開關和電池保護電路**:
在可攜式設備和電池驅動系統中,SI1563EDH-T1-GE3-VB 可作為負載開關或電池保護開關。其雙通道結構可以在單一封裝中實現對負載的同時控制,適合用於智能手機、平板電腦等設備中的電池管理,確保電池充電、放電過程的安全性。

3. **功率調節和驅動電路**:
該 MOSFET 可以用在功率調節電路和驅動電路中,特別適用於需要精准開關控制的應用場景。比如,智能電動工具、電池驅動電機控制以及光伏電池板控制系統中的功率轉換器和調節器。

4. **LED 驅動電源**:
在 LED 驅動電源設計中,SI1563EDH-T1-GE3-VB 具有高效率和低導通電阻的優勢,特別適合用於高效能的 LED 驅動電源模組,提升LED照明系統的工作效率和節能表現。

5. **汽車電子和工業控制**:
SI1563EDH-T1-GE3-VB 可廣泛應用於汽車電子和工業控制模組中。例如,在汽車電池管理、車載電源模組、工業自動化設備中,用於負載驅動和功率轉換,能夠提高系統的整體效率,減少功率損耗。

6. **低功耗消費電子**:
在智能家居、物聯網設備等低功耗消費電子中,SI1563EDH-T1-GE3-VB 可作為電源開關、負載驅動器、調節器等,支持電池驅動的小型設備,並通過降低功耗延長設備使用壽命。

*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性

技術支援:

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