產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
|
8mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Single-N |
30V |
|
1.7V |
13A |
|
Trench |
2. 詳細參數說明:
- **型號**:SI4334DY-T1-E3
- **封裝類型**:SOP8
- **配置**:單 N 型 MOSFET
- **漏源電壓 (VDS)**:30V(最大)
- **柵極源極電壓 (VGS)**:±20V(最大)
- **開啟電壓 (Vth)**:1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**:13A
- **技術類型**:Trench 技術
- **工作溫度範圍**:-55°C 到 150°C
- **封裝類型**:SOP8(表面貼裝封裝)
- **引腳數**:8 引腳
- **熱阻**:< 45°C/W(結到散熱器)
- **最大功耗**:TBD(依賴於散熱條件)
領域和模塊應用:
3. 應用領域與模組舉例:
# 1. **電源管理與轉換模組**:
SI4334DY-T1-E3 適用於各種電源管理和 DC-DC 轉換器中,特別是在要求高電流處理和低功耗的應用中。由於其低導通電阻和較大的電流承載能力,這款 MOSFET 非常適合用於高效電源適配器、電源穩壓器、以及高效能電源轉換模組,能夠顯著減少能量損耗並提高轉換效率。
# 6. **無線通信設備**:
在無線通信系統中,SI4334DY-T1-E3 可用於功率放大器、信號數據機、以及無線充電系統中。其高電流承載能力和快速開關特性,使其能夠適應高頻率和大電流負載,同時保持低功耗和低熱損耗。
# 7. **高效 LED 驅動與光電應用**:
由於其高效電流切換能力,SI4334DY-T1-E3 可用於 LED 驅動電路和光電系統中,尤其是在大功率、高效率的 LED 照明系統中。該 MOSFET 能提供精准的電流控制,提高光源效率,減少熱量產生。
# 8. **智能家居與物聯網(IoT)設備**:
在智能家居設備及 IoT 設備中,SI4334DY-T1-E3 可用於電源轉換、功率管理、以及開關控制模組。由於其低 RDS(ON) 特性,它能夠在這些低功耗設備中保持高效的電源轉換和管理功能,優化系統的整體功率消耗和性能。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性