產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
|
18/40mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+P |
±30V |
|
1.6/-1.7V |
±8A |
|
Trench |
詳細參數說明
- **型號**:SI4542DY-VB
- **封裝**:SOP8
- **配置**:雙N+P溝道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**:±30V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:
- N通道:1.6V
- P通道:-1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- N通道:24mΩ(VGS = 4.5V),18mΩ(VGS = 10V)
- P通道:50mΩ(VGS = 4.5V),40mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**:
- N通道:8A
- P通道:-8A
- **技術**:Trench
- **工作溫度範圍**:-55°C 到 +150°C
領域和模塊應用:
適用領域和模組示例
1. **DC-DC 轉換器**
- SI4542DY-VB 由於其低導通電阻和高效開關性能,在 **DC-DC 轉換器** 中非常適用,特別是在需要高效率電壓轉換的應用中,如可攜式電源、LED 驅動、移動設備電源等。其低 RDS(ON) 使得器件能夠在高開關頻率下運行,顯著降低功率損耗。
2. **負載開關**
- 該 MOSFET 可用於 **負載開關**,控制功率在不同電路之間的切換。由於其 **低 RDS(ON)**,能夠在負載切換時實現高效的電流導通,減少功率損耗,廣泛應用於便攜設備、消費電子、低功耗電源管理系統等領域。
3. **電池管理系統**
- 在電池管理系統(**BMS**)中,SI4542DY-VB 可以作為充電和放電的控制開關,幫助實現對電池電壓和電流的高效管理。由於該 MOSFET 具有較低的開關損耗,它在電池管理、充電保護以及負載保護中表現出色,適用於電動工具、電池驅動的設備和電動汽車(EV)的電池管理模組。
4. **電源管理 IC**
- 該 MOSFET 適用於 **電源管理 IC**,尤其是在低壓和高效率電源系統中,作為功率開關使用。它在消費電子產品、工業電源、醫療設備等領域提供高效的電源轉換,並有助於降低系統的總體功耗。
5. **汽車電子**
- 在汽車電子領域,SI4542DY-VB 可用於電源管理模組、功率分配系統、DC-DC 轉換器和電池管理系統。其適用於 12V 和 24V 電池供電的汽車應用,能夠有效地進行電壓轉換和電流調節,同時保證系統在高效且可靠的工作狀態下運行,特別是在電動汽車和混合動力車的電池系統中。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性