產品參數:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
|
18mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Half-Bridge-N+N |
30V |
|
1.7V |
6.8/10A |
|
Trench |
主要參數說明
| **參數** | **值** |
|-----------------|-------------------------|
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 半橋(N+N通道) |
| **V_DS(漏極-源極電壓)** | 30V |
| **V_GS(柵極-源極電壓)** | ±20V |
| **V_th(門檻電壓)** | 1.7V |
| **R_DS(ON)(導通電阻)** | 21.6mΩ(V_GS = 4.5V),18mΩ(V_GS = 10V) |
| **I_D(漏極電流)** | 6.8A(N通道),10A(N通道)|
| **技術** | Trench |
領域和模塊應用:
應用領域與模組
1. **開關電源與電源管理**
SI4618DY-T1-E3-VB廣泛應用於**DC-DC轉換器、AC-DC電源適配器**等開關電源模組中。其低R_DS(ON)使得該MOSFET能夠提供高效的電能轉換,減少能量損失,從而提高電源的總體效率。在電池供電系統中,也能有效降低開關損耗,延長設備的工作時間。
2. **電機驅動控制**
在電機驅動應用中,特別是用於**直流電機、步進電機或無刷電機(BLDC)**的驅動控制系統中,SI4618DY-T1-E3-VB的半橋配置(兩個N通道MOSFET)可以提供高效的電流開關能力,控制電機的旋轉方向和速度。其低導通電阻幫助減少熱損耗,提升電機的效率。
3. **功率放大與音頻設備**
該MOSFET還廣泛應用於**音頻放大器**和**功率放大器**中。它的低R_DS(ON)和高電流承受能力,適合用於高效能的音頻電源管理和信號放大電路,尤其是在音頻設備中,能夠有效抑制電流浪湧和電磁干擾(EMI)。
4. **汽車電子與電池管理系統**
在**汽車電子**領域,特別是**電池管理系統(BMS)**和電動汽車驅動系統中,SI4618DY-T1-E3-VB能夠提供高效的功率控制。其低導通電阻幫助減小功率損耗和溫升,從而確保長時間穩定運行,提升電池管理系統的效率。
5. **LED驅動控制**
該MOSFET還適用於**LED驅動電源**。在LED驅動模組中,SI4618DY-T1-E3-VB可以作為高效開關元件,通過優化功率傳輸來提供穩定的輸出電流,確保LED燈具的高亮度和長壽命。
6. **消費電子**
在消費電子產品中,如**智能手機、平板電腦**等,SI4618DY-T1-E3-VB可用在電池充電模組、電源適配器、無線充電等多個子系統中。其低R_DS(ON)性能使得這些設備能夠提供更快的充電速度和更高的電能轉換效率。
總之,SI4618DY-T1-E3-VB是一款適用於多種應用領域的高效能MOSFET,特別是在開關電源、電機驅動、汽車電子、LED驅動等領域,憑藉其低導通電阻和高電流能力,能夠顯著提高系統的性能與能效。
*請注意:以上只是示例應用場景,具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時,請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性