產品參數：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
|
16mΩ |
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VCE |
VGE |
VGEth(V) |
VCEsat15V |
ICE |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
|
|
|
|
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds18 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds6 |
Technology |
| SOP8 |
Dual-N+N |
30V |
|
1.7V |
8.5A |
|
Trench |
SI4804CDY-T1-E3-VB MOSFET 詳細參數說明
| 參數 | 說明 |
|-------------------------|---------------------------------------------------|
| **封裝** | SOP8 |
| **配置** | 雙 N 通道 MOSFET（Dual-N+N-Channel） |
| **漏源電壓（VDS）** | 30V |
| **柵源電壓（VGS）** | ±20V |
| **開啟電壓（Vth）** | 1.7V |
| **導通電阻（RDS(ON)）** | 20mΩ（VGS=4.5V）；16mΩ（VGS=10V） |
| **漏極電流（ID）** | 8.5A |
| **技術** | Trench 技術 |
| **工作溫度範圍** | -55°C 到 +150°C |
| **最大功率損耗** | 30W |
| **應用方向** | 電源管理、DC-DC 轉換器、負載開關、電池管理等 |
領域和模塊應用：
SI4804CDY-T1-E3-VB 應用領域與模組示例
1. **電源管理與負載開關**
SI4804CDY-T1-E3-VB 的雙 N 通道 MOSFET 設計使其成為電源管理和負載開關的理想選擇。在移動設備、消費電子、筆記本電腦等產品的電源管理系統中，它能提供高效的電能傳輸，減少功率損耗，延長設備使用壽命。其低導通電阻特點使其在高頻率工作時，能夠維持高效的電流傳輸。
2. **DC-DC 轉換器**
SI4804CDY-T1-E3-VB 廣泛應用於 DC-DC 轉換器中，尤其是那些要求高效能轉換的低功率電源。在例如 USB 電源適配器、LED 驅動電源、電池充電器等設備中，SI4804CDY-T1-E3-VB 提供了優異的電能轉換效率，確保了穩定的電壓輸出和高效能的電流管理。
3. **電池管理系統（BMS）**
該 MOSFET 也非常適合電池管理系統，尤其是在電動工具、移動電源、電動自行車和電動汽車的電池充放電管理中。SI4804CDY-T1-E3-VB 能夠有效地控制電池的充電和放電過程，優化電池的性能和壽命，確保電池在不同負載和工作條件下的穩定性。
4. **汽車電子與電動汽車應用**
在電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統、功率控制單元和電動驅動系統中，SI4804CDY-T1-E3-VB MOSFET 的高導電性和耐高電流特性使其成為電池管理系統中理想的開關器件。它能夠幫助優化電池充電和電流控制，增強電動汽車的能效和續航能力。
5. **工業應用**
在工業自動化系統中，如PLC（可編程邏輯控制器）、機器人控制、電動工具等，SI4804CDY-T1-E3-VB MOSFET 也具有廣泛的應用。它可以高效管理大電流的開關，保證系統的穩定性和回應速度，減少功率損耗並延長設備的使用壽命。
6. **消費電子與便攜設備**
SI4804CDY-T1-E3-VB 也廣泛應用於消費電子領域，如智能手機、平板電腦、可攜式電源、無線設備等。這款 MOSFET 在這些設備中的電源管理模組中，能夠高效地控制電流開關，減少熱量產生，確保長時間使用而不降低性能。
*請注意：以上只是示例應用場景，具體的應用取決於系統設計的要求和條件。 在使用該器件時，請查閱其數據手册以獲取詳細的技術規格和特性
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